EL2相关论文
开关技术在脉冲功率技术中占有重要的地位,它不仅决定了脉冲功率系统的输出特性,甚至是脉冲功率系统的成败的关键。高重复频率、小......
在２８４Ｋ～４５５Ｋ温度范围内，对未掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ样品进行了霍尔一范德堡测量．根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷ＥＬ２电离率的温度关系．发现计算结果与......
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象......
在建立的理论模型基础之上 ,定量地分析了EL2能级对GaAsMESFET夹断电压的影响 ,指出位于本征费米能级以下的EL2能级是影响GaAsMESF......
利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)单晶中深施主缺陷EL2的影响。结......
为了进一步阐明半绝缘液封直拉(SI LEC)GaAs中EL_2缺陷的本质,本文结合GaAs中有关点缺陷的形成机理进行了EPR“A_(SG_a)”及EL_2两......
In the present work, the electronic level associated with the arsenic-antisite-arsenic-interstitial model for the struct......
本文试图对与EL_2中心有关的局域模振动的一个最新测量结果给予解释,认为一个填隙的(或偏心代位的)氧原子可能是产生这些局域模振......
本研究采用近红外光谱法和低温测量技术,获得了EL2能级的心内跃迁特征光谱和包括6个小峰的精细结构。探讨了心内跃迁与横向声学(TA......
本文用光电导的实验方法对ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶中ＥＬ２能级的光淬灭过程进行了研究．通过对实验结果的分析，提出了一种解释ＥＬ２淬灭过程中ＥＰＣ现象起因的模型：光照前......
在284K~455K温度范围内,对未掺杂半绝缘LECGAAS样品进行了霍尔一范德堡测量.根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷EL2电离率的......
液封直拉法生产的半绝缘砷化镓单晶（LEC SI-GaAs）被广泛用于微波器件和高频集成电路的衬底材料，成为当代信息产业的重要材料之一。随......
本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEc(Light Energy converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布.实验结果表明......
本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC（Light Energy Converter光能转换器）Si—GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明......
ＣｏｒｒｅｌａｔｉｏｎｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅＣｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｓｏｆｌｏｎｉｚｅｄＥＬ２ａｎｄＣａｒｂｏｎＡｃｃｅｐｔｏｒｉｎＵｎｄｏｐｅｄＳｅｍｉ－ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇＬＥＣＧａＡｓＹａｎｇＲｕｉｘｉａ（杨瑞霞）（ＨｅｂｅｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅ.........
DETERMINATION OF TOTAL EL2 AND NET ACCEPTOR CONCENTRATION IN UNDOPED SI GaAs BY MULTI-WAVELENGTH INF
Total EL2 concentration distribution and net acceptor concentration distribution in uncloped semi-insulating(SI) LEC GaA......
测量了未掺杂半绝缘ＬＥＣ ＧａＡｓ中总的，电中性的ＥＬ２及净受主浓度分布和碳分布。结果表明，总ＥＬ２浓度径向分布呈Ｗ形而不是均匀的，净受主浓度径向分布呈∧......
对未掺杂原生ＬＥＣＳＩＧａＡｓ单晶在５００－１１７０℃温度范围进行了单步、两步和三步热处理及淬火，研究了这种热处理对ＥＬ２分布的影响，并检测了位错和Ａｓ沉淀的变化。......
用“多波长红外吸收”的方法测量了未掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣ ＧａＡｓ中电离的和电中性ＥＬ２浓度径向分布，并由此得到了总ＥＬ２浓度及其费米占据函数（ｆｎ）的分布。结果......
前列腺癌（Prostate．Cancer）是老年男性常见恶性肿瘤，随着血清前列腺特异性抗原（Prostatic．Specific．antigen）的应用，早期诊断率大为提高。前......
为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿......
我们采用EHT法计算了EL2缺陷模型的电子能级及其波函数,集团包含41个原子,用群论方法约化久期行列式。同时计算了该缺陷能级的光电......
用光致电流瞬态谱（ＰＩＴＳ）方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ原生单晶经常规退火和等时快速退火（ＲＴＡ）深能级缺陷的变化。缺陷ＥＬ２（Ｅｃ－０．８２ｅＶ）ＥＬ１２（Ｅｃ－０．７９ｅＶ）表现出类似的ＲＴＡ特性，应属于ＥＬ２缺陷团簇；缺陷ＥＬ６（Ｅｃ－０．３８ｅＶ），ＥＬ８（Ｅｃ－０．２７ｅＶ）和ＥＬ９（Ｅｃ－０．２４ｅＶ０亦具......
利用范德堡方法和光吸收方法研究了非掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣ ＧａＡｓ中电参数与碳（Ｃ）浓度及ＥＬ２浓度的关系。通过比较实验结果和理论计算结果发现，这种半绝缘......
ＤｏｕｂｌｅＤｏｎｏｒＢｅｈａｖｉｏｒｏｆＥＬ２ＤｅｆｅｃｔｉｎＰｈｏｔｏｑｕｅｎｃｈｉｎｇＥｘｐｅｒｉｍｅｎｔＺｈｏｕＢｉｎ１，２，ＹａｎｇＸｉｑｕａｎ１ａｎｄＷａｎｇＺｈａｎｇｕｏ１（周滨）（杨锡权）（王占国）１．ＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＳｅｍｉ.........
ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆＥＬ２Ｄｅｆｅｃｔｉｎ１０ＭｅＶＥｌｅｃｔｒｏｎＩｒｒａｄｉａｔｅｄＵｎｄｏｐｅｄＳｅｍｉ－ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇＬＥＣＧａＡｓＷｕＦｅｎｇｍｅｉ，ＳｈｉＹｉ，ＣｈｅｎＷｕｍｉｎｇ，ＷｕＨｏｎｇｗｅｉａｎｄＬａｉＱｉｊｉ（.........
ＲｅｌａｔｉｏｎｂｅｔｗｅｅｎＥＬ２ＧｒｏｕｐａｎｄＥＬ６ＧｒｏｕｐｉｎＳＩ－ＧａＡｓＷｕＦｅｎｇｍｅｉ吴凤美（Ｄｅｐｏｒｔｍｅｎｔｏｆｐｈｙｓｉｃｓ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９３，Ｃｈｉｎａ）ＺｈａｏＺｈｏｕｙｉｎ.........
本文研究液封直拉(LEC)未掺杂半绝缘GaAs室温和低温近红外吸收特性,对主要深电子陷阱(EL2)引起红外吸收的机理进行了探讨。利用低......
在２８４￣４５５Ｋ温度范围内，对未掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ样品进行了霍尔－范德堡测量。根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷ＥＬ２电离率的温度关系。发现计算结果......
对实测ＧａＡｓ１－ｘＰｘ合金（ｘ＝０，０．０４和０．０８）三个样品中ＥＬ２中心的光猝灭截面谱σ的温度依赖性进行了研究。......
本文以热处理方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ中ＥＬ２径向分分布变化规律，着重研究了不同的热处理后冷却方式对ＥＬ２分布均匀性改善程度的影响，讨论了ＬＥＣＧａＨｓ中ＥＬ２分布不均匀性......
根据ＥＬ２分布的热处理行为Ａｓ沉淀分布特征的实验结果，讨论了Ａｓ沉淀对ＥＬ２分布的影响和热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理。......
测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ中ＥＬ２浓度及其分布的变化，为了分析这一变化，还检测了位错和Ａｓ沉淀的分布，在实验结果基础上......
砷化镓（GaAs）是一种优良的半导体材料，它广泛应用于微波器件、光电子器件以及超高速集成电路。NDLECSI GaAs单晶是指液封直拉（LEC）法生......
<正> 一、引言 由于SI-GaAs材料在技术上的极端重要性,决定其半绝缘性质的EL2能级成为最受关注的深能级之一。近几年来,人们通过大......
利用ＳＩ－ＧａＡｓ中ＥＬ２缺陷在低温下特有的光淬灭行为，提出了一个证明ＥＬ２缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法。讨论了该方法用于测......
